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LK-SDK-ZBZigbee開發套件

LK 7N65F N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。

LK10N60F N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。

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